AC輸入：32點(diǎn)。
額定電流電壓：AC100～120V，10mA(AC100V,60Hz)。
響應(yīng)時(shí)間：25ms。
輸入形式：32點(diǎn) 1個(gè)公共端。
外部接線連接方式：38點(diǎn)端子臺(tái)（端子臺(tái)另售）Q24DHCCPU-V結(jié)構(gòu)化編程手冊(cè)。
替換型號(hào)：AX11。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)Q24DHCCPU-V
程序容量：100 k步。
處理速度：0.0095 μs。
程序存儲(chǔ)器容量：400 KB。
支持USB和網(wǎng)絡(luò)。
支持安裝記憶卡。
多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過(guò)多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制Q24DHCCPU-V結(jié)構(gòu)化編程手冊(cè)。
通過(guò)順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率最大化。
此外，最新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制。測(cè)量項(xiàng)目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測(cè)量電路數(shù)：2個(gè)電路。
測(cè)量泄漏電流的絕緣監(jiān)視模塊。
可對(duì)漏電流進(jìn)行測(cè)量，以確保安全通過(guò)監(jiān)視漏電流（Io），可檢測(cè)出觸電危險(xiǎn)。
可連續(xù)不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣狀態(tài) 測(cè)量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣老化狀況。
可對(duì)每個(gè)測(cè)量項(xiàng)目進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視可分別對(duì)漏電流（ Io）、一個(gè)模塊可測(cè)量?jī)蓚€(gè)電路 一個(gè)模塊可對(duì)同一系統(tǒng)中相同相線式電源的兩個(gè)電路進(jìn)行測(cè)量Q24DHCCPU-V結(jié)構(gòu)化編程手冊(cè)。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。
［測(cè)量項(xiàng)目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向最大為19.6N，軸向最大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q24DHCCPU-V手冊(cè)Q24DHCCPU-V手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。