輸入點數(shù)：32點。
輸入電壓及電流：DC24V 4mA。
應答時間：1/5/10/20/70ms。
共陽極。
輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC12~24V 0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA；應答時間：1ms。
漏型。
40針連接器。
帶熱防護。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器Q3MEM-CV
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。輸入電壓范圍：AC200-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡化程序調試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調試特定回路程序段時，需要追加設定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執(zhí)行動作。
因此，不需要單獨為了調試而更改程序，調試操作更簡單。
通過軟元件擴展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴展到60K點，使程序更容易理解。

自動備份關鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標準ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復。